| 研究課題/領域番号 |
22360004
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
深津 晋 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 教授 (60199164)
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| 連携研究者 |
安武 裕輔 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 助教 (10526726)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
2012年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2010年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | シリコン光増幅器 / {311}欠陥 / 量子細線ロッド電子系 / 間接遷移の克服 / ポンプ・プローブ法 / 光増幅器 / シリコンレーザー / G-line / シリコン発光ダイオード / シリコン導波路 / 光結合 / 可変長ストライプ励起法 / 見かけ利得 / 可変畏ストライプ励起法 / 点状励起・積分法 |
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| 研究概要 |
シリコン結晶内に発生する{311}ロッド状欠陥は,天然の量子細線ともよべる低次元電子系を伴う。本研究では,この欠陥の特異性を利用してシリコン生来の間接遷移特性を克服し,導波路型シリコンLEDから極低温で動作するシリコン光増幅器実現への道筋をつけた。「制御された欠陥」を発光中心とする光能動デバイスを実現すべく,(1)形成素過程に踏み込んだ欠陥発生制御とLED発光効率を指標とした導波路への精密欠陥導入,(2)電流駆動光増幅の実証,(3)利得発生に有利な局在電子系の同定と分離・抽出,(4)導波路LEDの室温動作と30MHz直接変調を行い,{311}欠陥量子細線ロッドの光学的な有用性を明らかにした。
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