| 研究課題/領域番号 |
22360005
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
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| 連携研究者 |
矢口 裕之 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50239737)
片山 竜二 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
窪谷 茂幸 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (70583615)
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| 研究協力者 |
サクンタム サノーピン チュラロンコン大学(タイ), 理学部, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
13,520千円 (直接経費: 10,400千円、間接経費: 3,120千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2010年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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| キーワード | エピタキシャル成長 / 立方晶窒化物半導体 / 立方晶III-N半導体 / 窒化物半導体 / III-N半導体 / MOVPE / MBE / 半導体物性 / 結晶成長 / 立方晶III族窒化物 / III族窒化物半導体 |
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| 研究概要 |
III族窒化物半導体GaN,InN,AlNおよび関連混晶の高相純度立方晶薄膜およびヘテロ構造を、有機金属気相成長法ないし分子線エピタキシー法を用いて実現し、相純度、欠陥性状、発光特性、電気伝導特性などの基礎物性を成長条件との関連において明らかにした。とくに立方晶InNおよびInGaNにおいてはYSZ(001)基板の有用性を確認した。また立方晶GaNおよびAlGaNにおいては、Si添加による伝導性制御を確立した。立方晶AlNにおいてはバンドギャップ値を同定した。
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