| 研究課題/領域番号 |
22360009
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 愛知工業大学 |
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研究代表者 |
澤木 宣彦 愛知工業大学, 工学部, 教授 (70023330)
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| 連携研究者 |
岩田 博之 愛知工業大学, 工学部, 准教授 (20261034)
本田 善央 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60362274)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,890千円 (直接経費: 15,300千円、間接経費: 4,590千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2010年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / 格子欠陥 / 不純物ドーピング / シリコン基板 / 透過電子顕微鏡観察 / 遠赤外吸収スペクトル / シリコンホトニクス / MOVPE成長 / 疑似格子整合 / TEM / PL / TEM観察 / FTIR評価 |
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| 研究概要 |
Si基板上へのGaNヘテロエピタキシにおける成長層の高品質化のためAlInN緩衝層とIn添加AlN成長核形成層の効果を検討した。断面TEM像の観察からGaN成長層の貫通転位密度の低減が図られることを明らかにした。さらに炭素ドープ半極性面AlGaNの遠赤外吸収スペクトルにAl-Cボンドによる局在振動モードを見いだし、p型伝導の起源が窒素サイトを置換した炭素によるものであることを明らかにした。
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