| 研究課題/領域番号 |
22360010
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
高橋 正光 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 研究主幹 (00354986)
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| 連携研究者 |
胡 雯 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 博士研究員
神津 美和 兵庫県立大学, 大学院・物質理学研究科, 大学院生
佐々木 拓生 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 量子ビーム応用研究センター, 任期付研究員
仲田 侑加 兵庫県立大学, 大学院・物質理学研究科, 大学院生
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
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| キーワード | マイクロX線回折 / ナノ構造 / エピタキシャル成長 / 放射光X線回折 / 分子線エピタキシー / 量子細線 / 量子ドット |
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| 研究概要 |
半導体ナノ構造の自己形成過程において、構造の不均一性を生じさせるメカニズムを明らかにするため、単結晶薄膜成長中のX線回折測定用の放射光ビームラインにおいて、径1ミクロンのX線集光を実現する光学系を製作した。本装置を用いて、半導体量子細線・パターン加工したシリコン基板上のガリウムヒ素マイクロ結晶・インジウムガリウム薄膜中の結晶欠陥などの微小構造の局所的な構造をその場X線回折測定し、半導体ナノ構造の制御につながる知見を得た。
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