| 研究課題/領域番号 |
22360014
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
白井 正文 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70221306)
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| 研究分担者 |
小田 竜樹 金沢大学, 数物科学系, 教授 (30272941)
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| 連携研究者 |
三浦 良雄 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (10361198)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2012年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2011年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2010年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
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| キーワード | 不揮発性メモリ / 強磁性体 / 表面・界面 / 磁気異方性 / 電界効果 / 第一原理計算 / 磁気トンネル接合 / 強磁性薄膜 / 表面・界面磁性 / 電気磁気効果 / 強誘電体 / 磁気抵抗効果 |
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| 研究概要 |
不揮発性スピンメモリにおいて電界誘起磁化反転を利用したデータ書換えを確立するために、強磁性金属/酸化物積層薄膜における結晶磁気異方性とその電界効果の第一原理計算を行い、顕著な電界効果を発現する材料・構造を理論的に探索した。その結果、CoFe/MgO接合においてFe組成の増加に伴い界面磁気異方性が増大することを見出した。また、Fe/MgO界面にPtまたはPd単原子層を挿入することにより磁気異方性の電界依存性を増強できることを提案した。
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