| 研究課題/領域番号 |
22360017
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
吉信 淳 東京大学, 物性研究所, 教授 (50202403)
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| 研究分担者 |
吉本 真也 東京大学, 物性研究所, 助教 (90507831)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2012年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2011年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2010年度: 7,020千円 (直接経費: 5,400千円、間接経費: 1,620千円)
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| キーワード | 有機分子 / 表面界面 / 半導体 / 光電子分光 / 電荷移動 / 電極 / シリコン / 表面 / 電子状態 / 界面構造 / 振動分光 / 電気伝導 / 界面 / ダイナミクス |
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| 研究概要 |
本研究では,ナノスケールで制御された新奇な集合有機分子-シリコン半導体基板ハイブリッド系デバイスの探索を目的として,化学的に修飾されたシリコン半導体表面に有機単分子層および有機多層膜を構築し,その界面構造と電子状態を,放射光分光,走査トンネル顕微鏡,透過赤外吸収分光,光電子分光,4探針表面電気伝導測定で研究した
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