| 研究課題/領域番号 |
22360018
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 教授 (20107395)
|
|---|
| 研究分担者 |
白澤 徹郎 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2011年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2010年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円)
|
|---|
| キーワード | X線回折 / 表面・界面 / 位相問題 / ホログラフィ / 放射光 / 超薄膜 / トポロジカル絶縁体 / 結晶成長 / 放射線 / 直接法 / CTR散乱 |
|---|
| 研究概要 |
CTR散乱法で観測したX線散乱強度データを光学におけるホログラフィと類似の方法、および繰り返し位相回復法を併用して界面構造を解析する新しい方法を開発した。この方法では、基板結晶上の超薄膜を界面も含めて超薄膜の各原子層を電子密度分布として解析できるので、原子層間の距離、各原子層の電子密度や広がりを求められることが示された。その結果、電子物性や結晶成長機構に関する重要な知見が得られることも分かった。
|
