| 研究課題/領域番号 |
22360025
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
土井 靖生 東京大学, 大学院・総合文化研究科, 助教 (70292844)
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| 研究分担者 |
日暮 栄治 東京大学, 先端科学技術研究センター, 准教授 (60372405)
寳迫 巌 情報通信研究機構, 新世代ネットワーク研究センター, 研究マネジャー (00359069)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 遠赤外線 / ウェファボンディング / BIB検出器 / ウエファボンディング |
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| 研究概要 |
様々な科学・工業応用が期待されるテラヘルツ波長帯の検出器の中で、最も高感度且つ大規模化を実現している検出器の1つが、ゲルマニウムの不純物半導体を用いた検出器である。我々はウェファボンディング技術を応用する事により、これまで製造が困難であったGe半導体を用いた遠赤外線BIB型検出器の製作実現性を確認した。これにより、これまで安価且つ大規模な検出器の製作が事実上不可能であった100～300μm帯における検出器製作の目処が得られた。
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