| 配分額 *注記 |
17,290千円 (直接経費: 13,300千円、間接経費: 3,990千円)
2012年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2010年度: 12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
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| 研究概要 |
自己組織化による単一ステップ技術による架橋型β-酸化ガリウムナノワイヤ光検出器作成技術を提案し,実証した.試作した光検出器は,β-酸化ガリウムからなり,深紫外線を選択的に検出する.架橋型ナノワイヤ光検出器は,厚膜の電極と電極間を架橋したナノワイヤから成る.電極とナノワイヤは,単一ステップの化学気相成長法により同種の材料で形成される.架橋されたナノワイヤが光の検出部分となる.β-酸化ガリウムの成長制御は,触媒である金をパターニングすることによって行う.金薄膜は,フィジカルマスクによって二つの電極成長部分に積層される.電極間距離は100μmであり,化学気相成長法のプロセス最適化によって100μm以上の超長ナノワイヤを実現した.当該技術の利点は以下の三点である.一つ目は,低コストで効率よく架橋型ナノワイヤ光検出器を作成できることである.当該技術は,単一ステップの化学気相成長法であるため,表面の汚染が少なく,基板も選ばない.二つ目は,ワイドバンドギャップ半導体であるβ-酸化ガリウムを用いることで,深紫外線を選択的に検出することである.三つ目は,当該技術によって作成された光検出器は,良好なスペクトル感度,応答性および安定性を示し,さらに低ノイズとなることである.
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