| 研究課題/領域番号 |
22360122
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 信州大学 |
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研究代表者 |
劉 小晰 信州大学, 工学部, 准教授 (10372509)
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| 研究分担者 |
森迫 昭光 信州大学, 工学部, 教授 (20115380)
安川 雪子 信州大学, 工学部, 特任助教 (10458995)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2010年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 情報記録 / 磁性細線 / 磁気メモリー / 磁壁 / スピントルク / 電子材料 / スピンデバイス |
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| 研究概要 |
本研究では新規材料として、電流駆動磁壁移動の閾値電流密度が従来の材料の 100 分 1 である TbFeCo 非晶質垂直磁化膜を提案するとともに、新たなスピントルクを利用した情報ストレージデバイスの基盤技術を開発することを目的としている。具体的には、薄膜組成、磁気異方性、膜厚と臨界駆動電流密度、磁壁の移動速度そしてスピン分極率の関係を明らかにした。これによって次世代の小型大容量・高密度・低消費電力の不揮発性の情報ストレージデバイスの開発のための基礎技術を確立した。
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