| 研究課題/領域番号 |
22360131
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2012年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2011年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / MBEエピタキシャル / 窒化ガリウム / 格子欠陥 / 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー / 有機金属分子線成長 / 選択成長 / グラフェンマスク / MBE、エピタキシャル / 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / 超高速情報処理 / シリコン / 集積回路 / MBE,エピタキシャル / 高速情報処理 |
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| 研究概要 |
III-VチャンネルMOSFETやGaN系発光素子のSi基板上の作製を目指し、分子線結晶成長による転位低減化技術である低角入射マイクロチャンネルエピタキシー（LAIMCE）に関して研究した。その結果、例えば、有機金属分子線成長を用いたa面GaNのLAIMCEに成功し、横幅4μmを越す良好な横方向成長領域を得ることに成功した。テンプレート基板中には1平方センチに10乗個以上存在する転位・欠陥がLIMCE層中では断面TEM観察されないレベルまで大幅に低減できた。LAIMCEで使用するマスク材料の有効性検討など、他のLAIMCE基盤技術に関しても研究した。
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