| 研究課題/領域番号 |
22360132
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 仙台高等専門学校 |
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研究代表者 |
羽賀 浩一 仙台高等専門学校, 地域イノベーションセンター, 教授 (30270200)
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| 研究分担者 |
宍戸 統悦 東北大学, 金属材料研究所, 研究推進研究員 (50125580)
湯蓋 邦夫 (湯葢 邦夫) 東北大学, 金属材料研究所・金属ガラス総合研究センター, 准教授 (00302208)
関 成之 仙台高等専門学校, 知能エレクトロニクス工学科, 助教 (50449378)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2012年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2011年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2010年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| キーワード | 作成・評価技術 / ファイバー状金属錯体原料 / 酸化亜鉛 / 薄膜トランジスタ / アセチルアセトン亜鉛錯体 / ファイバー状アセチルアセトン亜鉛 / a軸配向ZnO / CVD / オゾンガス / 透明半導体 / 透明トランジスタ / MO-CVD / 結晶配向性制御 / ベータージケトン系金属錯体 / レーザー直接描画法 |
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| 研究概要 |
過去に事例のない斬新な製法により,構造,組成を制御したファイバー形状のβジケトン金属錯体を創成し,その金属錯体を有機金属気相成長(MO-CVD)の出発原料とした。この原料を利用して,市販の金属錯体では実現できなかった高品質酸化亜鉛薄膜が得られた。また,TFTプロセスにレーザ直接描画法を導入し,ZnO薄膜トランジスタ(ZnO-TFT)が完成した。このZnO薄膜の製法を基本に,二次元的に結晶軸と結晶品質が制御されたa軸配向ZnO薄膜が得られたが,本研究の期間内ではa軸配向ZnO薄膜を利用したZnO-TFTの実現には至らなかった。
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