研究課題/領域番号 |
22360133
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
佐久間 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, グループリーダー (60354346)
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連携研究者 |
池沢 道男 筑波大学, 数理物質科学研究科, 准教授 (30312797)
斎木 敏治 慶応大学, 理工学部, 教授 (70261196)
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研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
15,210千円 (直接経費: 11,700千円、間接経費: 3,510千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2011年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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キーワード | 量子閉じ込め / 量子ドット / 励起子 / 単一光子 / 等電子準位 / 不純物 / MOCVD |
研究概要 |
発光波長や強度などの特性が揃った単一光子源への応用を目指し、III-V族半導体中の等電子不純物による局在準位の制御と利用に関する研究を行った。具体的には、ガリウム砒素中の窒素不純物の最適なドーピング手法を調べ、エネルギーの揃った単一光子発生を世界で初めて実証するとともに、発光寿命や偏光などの特性について明らかにした。本研究によって多くの基礎データが取得でき、今後の技術開発に不可欠な有益な知見が得られた。
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