新世代光ネットワークのための長波長帯レーザトランジスタの実現

• 研究課題/領域番号: 22360138
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 西山 伸彦 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (80447531)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円); 2012年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円); 2011年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円); 2010年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
• キーワード: 光デバイス / 光回路 / 半導体レーザ / InP / レーザトランジスタ / フォトニックネットワーク / 高性能レーザ

研究概要

AlGaInAs量子井戸埋め込み構造を有する長波長帯トランジスタレーザ(TL)の実現に向け、その理論解析・素子作製を行った。作製方法として埋め込みヘテロ(BH)構造形成法に関する検討を行い、世界最高水準の性能を有するAlGaInAs/InP-BH-LD作製に成功した。この作製技術を利用し、世界で初めてとなる室温連続発振を実現した。さらにベース-コレクタ間電圧を変化させ、光出力を制御可能であることも明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Theoretical analysis of the damping effect on a transistor laser (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao
  • 雑誌名: IEICE Electronics Express 巻: 9 号: 23 ページ: 1792-1798
  • DOI: 10.1587/elex.9.1792
  • NAID: 130002542191
  • ISSN: 1349-2543
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved regrowth interface of AlGaInAs/InP-buried-heterostructure lasers by in-situ thermal cleaning (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Takino
  • 雑誌名: IEEE J. Quantum Electron. 巻: Vol. 48 号: 8 ページ: 971-979
  • DOI: 10.1109/jqe.2012.2196410
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal Wavelength Filters toward Optical Interconnection to LSIs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, M.Oda, J.H.Kang, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: E95-C 号: 2 ページ: 229-236
  • DOI: 10.1587/transele.E95.C.229
  • NAID: 10030609915
  • ISSN: 0916-8524, 1745-1353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of 1.3-μm Transistor Laser with AlGaInAs/InP Quantum Wells (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, T.Sato, Y.Takino, N.Sato, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Appl.Phys.Express 巻: Vol.4 号: 4 ページ: 3975-3982
  • DOI: 10.1364/oe.20.003983
  • NAID: 10029239379
  • 査読あり
• [雑誌論文] Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 号: 7R ページ: 070203-070203
  • DOI: 10.1143/jjap.50.070203
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large-Signal Analysis of a Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao, S. Lee, N. Nishiyama, S. Arai
  • 雑誌名: IEEE J. Quantum Electron 巻: Vol.47 号: 3 ページ: 359-367
  • DOI: 10.1109/jqe.2010.2090341
  • 査読あり
• [雑誌論文] Magnetic Interactions at Optical Frequencies in an InP-Based Wavegui de Device with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electronics 巻: 47 号: 5 ページ: 736-744
  • DOI: 10.1109/jqe.2011.2108268
  • 査読あり
• [雑誌論文] Nonunity permeability in metamaterial-based GaInAsP/InP multimode interferometers (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya, T.Shindo, D.Takahashi, S.Myoga, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Optics Lett. 巻: 36 号: 12 ページ: 2327-2329
  • DOI: 10.1364/ol.36.002327
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-power-consumption High-eye-margin 10 Gbit/s Operation by GaInAsP/InP Distributed Reflector Lasers with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Lee, D.Takahashi, T.Shindo, K.Shinno, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE Photonics Technol.Lett. 巻: 23 号: 18 ページ: 1349-1351
  • DOI: 10.1109/lpt.2011.2160938
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe, T.Okumura, S.Kondo, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys 巻: Vol.50 号: 8R ページ: 88005-88005
  • DOI: 10.1143/jjap.50.088005
  • NAID: 210000139428
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron. 巻: 17 号: 5 ページ: 1175-1182
  • DOI: 10.1109/jstqe.2011.2131636
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaInAsP/InP Membrane Lasers for Optical Interconnects (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Arai, N.Nishiyama, T.Maruyama, T.Okumura
  • 雑誌名: IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron. 巻: Vol.17(Invited) 号: 5 ページ: 1381-1389
  • DOI: 10.1109/jstqe.2011.2128859
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang, Y.Atsumi, M.Oda, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.50 号: 12R ページ: 120208-120208
  • DOI: 10.1143/jjap.50.120208
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with a-Si Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo, T.Okumura, H.Ito, T.Koguchi, D.Takahashi, Y.Atsumi, J.Kang, R.Osabe, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: Vol.19 ページ: 1884-1891
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lateral Junction Waveguide-type Photodiode Grown on Semi-insulating InP Substrate (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura. D.Kondo, H.Ito, S.H.Lee, T.Amemiya, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.50
  • NAID: 40018283282
  • 査読あり
• [雑誌論文] Large-Signal Analysis of a Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao, S.Lee, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: IEEE J.Quantum Electron 巻: Vol.47 ページ: 359-367
  • 査読あり
• [雑誌論文] シリコン/III-V族半導体ハイブリッド集積光デバイス (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 雑誌名: 月刊OPTRONICS 巻: 2011年2月号 ページ: 117-120
  • 査読あり
• [雑誌論文] Continuous Wave Operation of Thin Film Lateral Current Injection Lasers Grown on Semi-Insulating InP Substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura, H.Ito, D.Kondo, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.49
  • NAID: 40017085031
  • 査読あり
• [雑誌論文] Athermal Wavelength Characteristics of Si Slot Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene for Optoelectronic Integrated Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi, K.Inoue, N.Nishiyama, S.Arai
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: Vol.49
  • NAID: 40017116072
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bandwidth enhancement of injection-locked distributed reflector lasers with wirelike active regions (2010)
  • 著者名/発表者名: S.H.Lee, D.Parekh, T.Shindo, W.Yang, P.Guo, D.Takahashi, N.Nishiyama, C.J.Chang-Hasnain, S.Arai
  • 雑誌名: Opt.Express 巻: Vol.18 ページ: 16370-16378
  • 査読あり
• [学会発表] Spectral Characteristics Under Various Operation Conditions of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yukinari, N. Sato, N. Nishiyama, and S.Arai
  • 学会等名: CLEO-PR&OECC/PS 2013
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2013-07-04
• [学会発表] Spectral Characteristics Under Various Operation Conditions of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2013)
  • 著者名/発表者名: M. Yukinari
  • 学会等名: CLEO-PR&OECC/PS 2013
  • 発表場所: 京都国際会議場(京都府）
• [学会発表] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Sato, M. Shirao, T. Sato, M. Yukinari, N.Nishiyama, T. Amemiya, and S. Arai.
  • 学会等名: 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC2012)
  • 発表場所: San Diego, CA, USA
  • 年月日: 2012-10-08
• [学会発表] Uniform BCB Bonding Process Toward Low Propagation Loss (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2012-05-24
• [学会発表] Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions (2012)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2012-05-24
• [学会発表] 金属側壁層有するInP系プラズモニック導波路の作製評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村井英淳
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-23
• [学会発表] 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ (2012)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 温度無依存B埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ (2012)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-22
• [学会発表] 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討 (2012)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 2012 IEICE General conf.
  • 発表場所: Okayama
  • 年月日: 2012-03-21
• [学会発表] ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線1×2 MMIの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] チップ内光配線に向けた横接合導波路型GaInAsフォトダイオードの10Gb/s動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温連続動作 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] GaInAs/InP半導体上メタマテリアルにおける共振波長変化の金属膜厚依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザの内部量子効率向上 (2012)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: The 59th spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] Room-Temperature Continuous-Wave Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2012)
  • 著者名/発表者名: N. Sato
  • 学会等名: 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC 2012)
  • 発表場所: San Diego, CA, USA
• [学会発表] Fabrication process of multi-layered amorphous silicon wire waveguides (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] GaInAsP/Si Hybrid Laser with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-12-16
• [学会発表] L Wide-gap Athermal Si-Slot Wavelength Filters Embedded with Benzocyclobutene (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Oda
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-loss GaInAsP wire waveguide for optical interconnection (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Lee
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-threshold operation of GaInAsP/InP lateral current injection typemembrane DFB lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Futami
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Low-loss multiple-stacked amorphous silicon wire waveguide on SOI (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Proposal of GaInAsP/SOI hybrid laser with AlInAs-oxide current confinement layer by Surface Activated Bonding (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: Technical Meeting of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-25
• [学会発表] Si-based Optical Devices toward On-Chip Interconnection and One-Chip Router-Athermal, Amorphous, and III-V on Si (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nisiyama
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] GaInAsP/InP Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Athermal Wavelength Filters toward Photonic Integrated Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Fukuda
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-loss Amorphous Silicon Wire Waveguides Multilayer Stacked on SOI (2011)
  • 著者名/発表者名: J.H.Kang
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Low-Loss GaInAsP Photonic Wire Waveguide for Optical Interconnection (2011)
  • 著者名/発表者名: J.Lee
  • 学会等名: The 1st International Symposium on Photonics and Electronics Convergence, ISPEC2011
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-11-14
• [学会発表] Membrane InP-based Lasers and Related Devices for On-chip Interconnects (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-31
• [学会発表] Non-unity Permeability in InP-based Mach-Zehnder Interferometer with Metamaterial (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Carrier Concentration Dependent Resonance Frequency Shift in Metamaterial Loaded Semiconductor (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Myoga
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-13
• [学会発表] Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Sato, M. Shirao, Y. Takino, N. Sato, N.Nishiyama, and S. Arai
  • 学会等名: 2011IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-12
• [学会発表] Room-Temperature Lasing Operation of a 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Sato
  • 学会等名: 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011)
  • 発表場所: Arlington, USA
  • 年月日: 2011-10-12
• [学会発表] Wide-Gap Athermal Si-Slot Mach-Zhender Interferometer Embedded with Benzocyclobutene (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 8th Int.Conf, on Group IV Photonics
  • 発表場所: London, UK
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタ信号伝送特性の温度依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小田学
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo(招待講演)
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] オンチップ光配線に向けた光導波路作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜〓〓
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-15
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 2011 IEICE Society Conf.
  • 発表場所: Sapporo
  • 年月日: 2011-09-14
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有する温度無依存BCB埋め込みSiスロット型リング共振器 (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Numerical Analysis of Optical Gain of a3-terminal HBT-SOA (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao, N. Nishiyama, and S. Arai
  • 学会等名: IQEC/CLEO PacificRim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Numerical Analysis of Optical Gain of a 3-terminal HBT-SOA (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] BCB貼付を用いたSi基板上低損失GaInAsP細線導波路の実現 (2011)
  • 著者名/発表者名: 李智恩
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための設計 (2011)
  • 著者名/発表者名: 福田渓太
  • 学会等名: The 72th Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societie
  • 発表場所: Yamagata
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Semiconductor DFB Laser with Plasmonic Metal Layers for Subwavelength Confinement of Light (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: IQEC/CLEO Pacific Rim 2011
  • 発表場所: Sydney, Australia
  • 年月日: 2011-08-28
• [学会発表] Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Futami
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-07
• [学会発表] Lasing Operation of Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC2011)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2011-07-06
• [学会発表] Wide Bandwidth (>25Gbit/s) Modulation of Low Power Consumption Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Quantum Well Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao, T. Sato, N. Sato, N. Nishiyama, and S. Arai
  • 学会等名: The 23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Low-power Consumption and High-eye-margin 10 Gbit/s Operation of Distributed Reflector Laser with Wirelike Active Regions (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Takahashi
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Lasing Operation of Long-Wavelength Transistor Laser Using AlGaInAs/InP Quantum Well Active Region (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: The 23rd Int.Conf.Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-24
• [学会発表] Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: N. Sato, Y. Takino, M. Shirao, N. Nishiyama, and S. Arai
  • 学会等名: The 38th Int. Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] Effect of Thermal Cleaning on Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Sato
  • 学会等名: The 38th Int.Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011)
  • 発表場所: Berlin, Germany
  • 年月日: 2011-05-23
• [学会発表] 3端子を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ型SOAの数値解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 白尾瑞基
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] III-V化合物半導体のキャリアを用いたメタマテリアルの共振周波数変化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 明賀聖慈
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-27
• [学会発表] 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ (2011)
  • 著者名/発表者名: 二見充輝
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 1.3-μm帯pnp-AlGaInAs/InPレーザトランジスタの室温連続動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤孝司
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 佐藤憲明
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 幅広ギャップ構造を有するBCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI (2011)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 多層化されたアモルファスシリコン細線導波路の低損失伝搬特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 姜唆〓
  • 学会等名: The 58th Spring Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Atsugi, Japan
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-16
• [学会発表] 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: The 2011 IEICE General conf.
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-03-14
• [学会発表] Meta-photonic device ～possibility of permeability control in semiconductor-based photonic device combined with metamaterial～ (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Technical Report of TEICE
  • 発表場所: Kagoshima, Japan
  • 年月日: 2011-02-28
• [学会発表] Lateral Current Injection GaInAsP/InP Llaser for Membrane Based Photonic Circuits (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: SPIE Photonics West Conference 2011
  • 発表場所: San Francisco, California, USA
  • 年月日: 2011-01-24
• [学会発表] Si・SOI基板上レーザ素子の現状 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西山伸彦
  • 学会等名: レーザー学会学術講演会第31回年次大会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2011-01-10
• [学会発表] Lateral Current Injection 1550 nm Wavelength DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Si Slot Type Athermal Wavelength Filter Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] The characteristics of GaInAsP wired waveguide on Si substrate with BCB bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Maeda
  • 学会等名: Technical Report of IEICE
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-12-17
• [学会発表] Membrane DFB lasers on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Asia Communications and Photonics Conf. and Exhibition 2010 (ACP2010)
  • 発表場所: Shanghai, China
  • 年月日: 2010-12-09
• [学会発表] Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Shindo
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society (PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-11
• [学会発表] Metamaterial-based Control of Permeability in GaInAsP/InP Multimode-Interferometers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society (PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-10
• [学会発表] Low-Loss Si-Slot Waveguides and Ring Resonator Embedded with Benzocyclobutene (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Atsumi
  • 学会等名: The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society (PHO 2010)
  • 発表場所: Denver, CO, USA
  • 年月日: 2010-11-09
• [学会発表] First Lasing Operation of Injection Type Membrane GaInAsP DFB Laser With Lateral Current Injection BH Structure (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-29
• [学会発表] Membrane Lasers on Si-Low Power Consumption Lasers for Monolithic Integration (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: Workshop on Semiconductor Lasers, at The 22nd IEEE Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC 2010)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] Membrane-Type Photonic Devices for Optical Circuits on SOI (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Arai
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] Loss Measurement of Multiple Layer a-Si Waveguides toward 3D Si-Optical Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Kang
  • 学会等名: 2010 Int.Conf.on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-24
• [学会発表] a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ (2010)
  • 著者名/発表者名: 進藤隆彦
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小口貴之
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] SOI基板上集積二重導波路構造レーザの理論検討 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤瞳
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, 2010, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 活性層分離型分布反射型レーザの変調特性の構造依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高橋大佑
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] GaInAsP/InP細線状活性層を有するDBRの透過反射スペクトル特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 信野圭祐
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] III-V族半導体薄膜光集積回路実現に向けた薄膜品質の改善 (2010)
  • 著者名/発表者名: 前田泰奈
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成 (2010)
  • 著者名/発表者名: 長部亮
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] BCB埋め込みスロットリング共振器の低損失化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 渥美裕樹
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] GaInAsP/InP MMIとメタマテリアル融合素子における透磁率変化の観測 (2010)
  • 著者名/発表者名: 雨宮智宏
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] AlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザにおけるサーマルクリーニング中雰囲気の再成長界面品質に対する影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 瀧野祐太
  • 学会等名: The 71st Autumn Meeting, The Japan Society of Applied Physics and Related Societies
  • 発表場所: Nagasaki, Japan
  • 年月日: 2010-08-19
• [学会発表] Low power consumption semiconductor lasers for optical interconnections (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-07-08
• [学会発表] Current Status of III-V/Si Hybrid Optical Devices (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 15th OptoElectronics and Communications Conference, (OECC 2010)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2010-07-05
• [学会発表] Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: R.Osabe
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Direct Measurements of Characteristics of GaInAsP/InP Bragg Gratings with Periodically Etched Quantum Wells (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Shinno
  • 学会等名: The 37th Int.Sym.on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Lateral Junction Waveguide Type Photodiode for Membrane Photonic Circuits (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-03
• [学会発表] Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Takino, M. Shirao, T. Sato, N. Nishiyama, and S. Arai
  • 学会等名: The 22nd Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Kondo
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Dynamic Characteristics of Lateral Current Injection Laser (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Okumura
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Investigation of Regrowth Interface Quality of AlGaInAs/InP Buried Heterostructure Lasers (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Takino
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] All-optical Switch Consisting of Multimode Interferometer Combined with Metamaterials : Device Design (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-02
• [学会発表] Thin-Film GaInAsP/InP Lateral Current Injection Type Fabry-Perot Laser -Improved Quantum Efficiency Operation- (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ito
  • 学会等名: The 22nd Int.Conf.on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)
  • 発表場所: Takamatsu, Japan
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Magnetic Interaction at Optical Frequencies in InP-based Waveguide Device Combined with Metamaterial (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Amemiya
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-05-21
• [学会発表] Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Shirao, N. Nishiyama, S. Lee, and S. Arai
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/ International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC)2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Large Signal Analysis of AlGaInAs/InP Laser Transistor (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Shirao
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro Optics/International Quantum Electronics Conference (CLEO/IQEC) 2010
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術 (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nishiyama
  • 学会等名: 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会研究会
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-05-13
• [備考]
  • URL: http://www.pe.titech.ac.jp/AraiLab/