研究課題/領域番号 |
22360146
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 兵庫県立大学 |
研究代表者 |
渡邊 健夫 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (70285336)
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研究分担者 |
木下 博雄 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 教授 (50285334)
原田 哲男 兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 助授 (30451636)
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研究協力者 |
塩野 大寿 東京応化工業株式会社
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研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2011年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2010年度: 14,040千円 (直接経費: 10,800千円、間接経費: 3,240千円)
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キーワード | 微細プロセス技術 / 極端紫外線リソグラフィ / 干渉露光 / レジスト / 半導体微細加工 / 化学増幅系 / 感度 / line edge roughness / EUVリソグラフィ / 半導体 / 微細加工技術 / レジス / 干渉霞光 |
研究概要 |
13.5 nm の波長を有する極端紫外光(EUV 光)による干渉露光系を用いて、15 nmの線幅を有するライン・アンド・スペース(L/S)のレジストパタン形成に成功した。これは、振動の低減、30 nm の L/Sパタンを有する透過型回折格子の製作を進め実現した。加えて、高感度かつ低 LWR の開発を目的にレジストの反応解析、高分子レジスト並びに低分子レジストの骨格、並びに各種酸発生剤の検討を進めた。
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