| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2010年度: 14,040千円 (直接経費: 10,800千円、間接経費: 3,240千円)
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| 研究概要 |
本研究では, 従来型のグラフェン量子ドット素子構造とは異なる, 新しい構造のグラフェン量子ドット素子の提案とナノ微細加工プロセス技術の開発を行った。グラフェンを用いたナノ構造素子は, 電子線リソグラフィ技術とプラズマエッチングエッチング技術を組み合わせることによって作製することができるが, その特性は, 材料の質, 基板, そして試料端の化学的性質に大きく依存する。我々は, 試料端の影響を少なくし, グラフェン特有の電子構造を測定するための新しいナノデバイス構造を提案し, 実際に試料を作製した。実験結果および理論的解析から, 金属電極/グラフェン界面において形成されるポテンシャルと試料に対して一様垂直に印加される磁場によってグラフェン中の電子(ディラック電子)が閉軌道を形成し, 量子閉じ込め状態が発現することを見出した。
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