| 研究課題/領域番号 |
22360268
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 高知工科大学 |
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研究代表者 |
谷脇 雅文 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 (20133712)
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| 研究分担者 |
前田 敏彦 高知工科大学, 環境理工学群, 教授 (50399169)
徐 ぎゅう (徐 〓) 京都大学, 原子炉実験所, 准教授 (90273531)
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| 連携研究者 |
新田 紀子 高知工科大学, ナノ, 講師 (80412443)
神戸 宏 高知工科大学, 名誉教授 (10299373)
義家 敏正 京都大学, 原子炉実験所, 教授 (20124844)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2011年度: 12,350千円 (直接経費: 9,500千円、間接経費: 2,850千円)
2010年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 格子欠陥 / 半導体 / イオン照射 / ボイド / ナノセル / 原子空孔 / 格子間原子 / ナノ構造 / 半導体超微細化 / 電子顕微鏡 / 自己組織化 / FIB / GaSb / InSb |
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| 研究概要 |
いくつかの半導体ではイオン注入すると,表面にナノスケールのセル状構造が形成される。本研究では,この驚くべき現象を応用した新しいナノ技術の確立を目的した。そしてInSb、GaSb,Geでナノセル形成を詳細に試みた。InSbの場合、室温におけるイオン照射では100nm間隔のセル格子は二次ボイドの形成もなくほぼ完全に成長する。しかし、低温では逆に規則性が不十分となった。GaSbでは、逆に室温では二次ボイドが発生し、ナノセル形成には低温が有利であることがわかった。そして、充填ナノセルの作製が試みられている。いくつかの半導体ではイオン注入すると,表面にナノスケールのセル状構造が形成される。本研究では,この驚くべき現象を応用した新しいナノ技術の確立を目的した。そしてInSb、GaSb,Geでナノセル形成を詳細に試みた。InSbの場合、室温におけるイオン照射では100nm間隔のセル格子は二次ボイドの形成もなくほぼ完全に成長する。しかし、低温では逆に規則性が不十分となった。GaSbでは、逆に室温では二次ボイドが発生し、ナノセル形成には低温が有利であることがわかった。そして、充填ナノセルの作製が試みられている。
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