| 研究課題/領域番号 |
22360280
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
澤 彰仁 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究グループ長 (10357171)
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| 連携研究者 |
山田 浩之 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00415762)
井上 公 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00356502)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2012年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2011年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2010年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 表面・界面 / 強相関エレクトロニクス / セラミックス / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
酸素欠陥の電界移動により金属電極と遷移金属酸化物の界面で発現する抵抗スイッチング現象について、Pt/Nb-doped SrTiO_3 素子における抵抗スイッチング特性の素子面積依存性の実験から、酸素欠陥の電界移動現象は接合の端部で発現していることを明らかにした。強相関酸化物(Nd,Sm)NiO_3 をチャンネルにもちいた電界効果素子において、ゲート電圧印加によりチャンネル抵抗が 5 桁程度変化し、ゲート電圧をゼロに戻しても抵抗変化が保持される不揮発な抵抗変化が発現することを見出した。
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