研究課題/領域番号 |
22360283
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
複合材料・物性
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研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
研究代表者 |
八田 博志 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授 (90095638)
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研究分担者 |
芳仲 敏成 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 航空本部, 主任開発員 (40526266)
桃沢 愛 東京都市大学, 工学部, 講師 (70575597)
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連携研究者 |
桃沢 愛 東京都市大学, 工学部, 講師研究者番号:705755597 (70575597)
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研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2012年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2011年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
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キーワード | マトリックス材 / SiC / 酸化 / Active-Passive転移 / ZrB2-SiC / 酸化数値計算 / SiO2膜成長 / 大気圏再突入 / 酸化抑制効果 / 宇宙往還機 / 再使用型 / 耐熱材料 / 参加試験 / 試験方法 / 酸化試験 / 試験手法 |
研究概要 |
耐熱材料の高温酸化特性の定量的評価方法を確立するために、酸化反応が生じる試験片表面の酸素分圧を特定することが不可欠であることを実証した。高温酸化試験に用いられている熱天秤において試験片表面の酸素分圧を決定するための計算方法をSiCのActiveとPassiveの二種類の異なる酸化挙動に関して明らかにし、試験片表面酸素分圧特定の有用性を示した。さらに、二元系のZrB2-SiCの酸化挙動を調査した。
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