| 研究課題/領域番号 |
22360289
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
篠崎 和夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (00196388)
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| 研究分担者 |
クロス ジェフリー S (CROSS Jeffrey / クロス ジェフリーS) 東京工業大学, 理工学研究科, 教授 (90532044)
櫻井 修 東京工業大学, 理工学研究科, 准教授 (20108195)
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| 連携研究者 |
脇谷 尚樹 静岡大学, 工学部, 教授 (40251623)
木口 賢紀 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70311660)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2012年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2011年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2010年度: 11,050千円 (直接経費: 8,500千円、間接経費: 2,550千円)
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| キーワード | センサー材料 / 光機能材料 / ガスセンサー / 酸化物薄膜 / エピタキシャル / エピタキシャル薄膜 / ガス拡散型センサー / ガス吸着型センサー / ガス拡散センサー / ガス吸着センサー |
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| 研究概要 |
酸化物半導体微粒子を堆積した膜の粒子表面にガス吸着の際の電導性変化を利用したガス吸着型センサーや、酸化物イオン導電性材料の両面の酸素濃度差をつけ、酸化物イオンの拡散による起電力を測定するガス拡散型センサーにおいて、検出材料をエピタキシャル薄膜化したセンサーの研究を行った。その結果、ガス吸着型センサーでは膜厚をガス吸着感応層の厚さを23nm程度まで薄くすると高感度が実現できることや、ガス拡散型センサーでは膜厚を数百nm程度まで薄くし、さらに拡散の抵抗となる粒界をなくしたエピタキシャル薄膜化することで、従来の報告より低温でのセンサー動作の可能性を示した。
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