| 研究課題/領域番号 |
22360312
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
森田 一樹 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00210170)
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| 研究分担者 |
吉川 健 東京大学, 環境安全研究センター, 准教授 (90435933)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
15,340千円 (直接経費: 11,800千円、間接経費: 3,540千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2010年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | 溶融・凝固 / 太陽電池シリコン / 低温凝固精製 / 銅 / スズ / 融体・凝固 / ボロン / 融体 / 凝固 |
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| 研究概要 |
Cu-Si合金をおよびSn-Si合金を温度勾配下で一方向凝固させ、バルク状の結晶Siを得るための最適な冷却条件の調査、および精錬効果の確認を行った。温度勾配と冷却速度の制御により、双方バルク状のSiを得ることができ、双方ともSiの成長は拡散律速であることが明らかになった。Sn-Si合金を用いた場合の精製効果は、過去の研究で行ったAl-Si系溶媒ほど大きくないが、本研究で測定したSn-S-B系の熱力学的性質から高Sn濃度溶媒中のBの不安定性が示され、その性質を利用したCaO-CaF2-SiO2系スラグによる高効率脱Bプロセスが確認された。
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