| 研究課題/領域番号 |
22360316
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
稲富 裕光 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授 (50249934)
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| 研究分担者 |
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
木下 恭一 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 主幹研究員 (10358749)
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| 連携研究者 |
ムカンナン アリバナンドハン 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50451620)
阪田 薫穂 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 任期付プロジェクト研究員 (80514215)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2011年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
2010年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
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| キーワード | 結晶工学 / 結晶成長 / 応用光学 / 量子光工学 / 超精密計測 / 電子・電気材料 / 応用光学・量子光工学 |
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| 研究概要 |
温度勾配法によりInxGa1-xSbおよびInxGa1-xAs結晶を育成した。その場観察法および熱パルス法により界面形状、成長速度、組成変化を測定した。5.5テスラの静磁場印加により浮力対流を抑制した結果、InxGa1-xSb結晶成長においてIn組成変動を0.5at%程度と極めて低く抑えることに成功した。また、InxGa1-xSbバルク成長において成長速度およびIn濃度は明らかな面方位依存性を有することが明らかになった。
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