| 配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2012年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2011年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| 研究概要 |
超臨界二酸化炭素に有機金属を溶解させ,これを加熱された基板上にて反応させ,薄膜を形成する超臨界流体薄膜形成法(SupercriticalFluidDeposition,SCFD)を用い,超高集積化が進むDRAMやFeRAMなどのメモリデバイス用ナノキャパシタを形成するプロセスの開発を行った。電極材料としてのRu,Pt,SrRuO3,また,高誘電体・強誘電体材料としてのTiO2,SrTiO3,BiTiO3合成を検討し,従来良く用いられているCVDやALDプロセスと同等の段差被覆性を達成し,かつ,より低温での合成を可能とした。
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