| 研究課題/領域番号 |
22510115
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
|
|---|
| 研究機関 | 大阪大学 (2012)
立命館大学 (2010-2011) |
|---|
研究代表者 |
橋新 剛 大阪大学, 接合科学研究所, 特任研究員 (20336184)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
|---|
| キーワード | ナノ粒子・ナノチューブ / NO_2 / 酸化物-MWCNT複合体 / p-n接合効果 / 空間電荷層 / 走査トンネル分光法 / 酸化物内包効果 / 酸化物-CNTの接合界面 / 酸化物ナノ粒子 / カーボンナノチューブ / p-n接合 |
|---|
| 研究概要 |
バンドギャップが異なるn型半導体酸化物(TiO_2:3.0 eV 、SnO_2:3.7 eV)をp型半導体カーボンナノチューブ(CNT)に内包させた時に、酸化物のバンドギャップが酸化物内包CNTのp-n接合の形成に寄与することが、1 ppm NO_2に対する電気抵抗変化によって明らかにされた。他方、走査トンネル分光法によって、空気中と真空中で得られたI-V曲線をバイアス電圧(V)で微分した微分コンダクタンス(dI/dV)の評価では、SnO_2をCNT外壁に分散担持させたSnO_2担持CNTとCNT単独において見積もられたバンドギャップからp-n接合形成の証拠を得た。
|
