研究概要 |
光触媒の活性を向上させることを目的として,非熱平衡プロセスである反応性パルスレーザーアブレーション法を導入し,光触媒粒子のナノ化を試みた.窒化物半導体(GaN)では,不活性であるが安全・安価な窒素ガスを反応性ガスとして,GaNナノ結晶が生成できることを立証した.酸化物半導体(TiO2)では,簡単なプロセス条件の調整で,生成TiO2ナノ粒子の堆積モフォロジーのみならず結晶構造を制御できること,及びそれがプロセスの冷却過程の急峻さから説明できることを明らかにした.TiO2ナノ結晶の光触媒活性は,生成後の短時熱処理による結晶性の回復に伴って向上することを見出した.
|