原子状窒素により処理された化合物半導体表面構造の検討

• 研究課題/領域番号: 22510117
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 独立行政法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 大竹 晃浩 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主幹研究員 (30267398)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円); 2012年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
• キーワード: ナノ表面・界面 / 化合物半導体 / 表面構造 / 希薄窒化半導体 / 表面再配列 / 分子線エピタキシー / ガリウムヒ素

研究概要

III-V族化合物半導体GaAs(001)表面に活性窒素種を照射し、その吸着過程および構造を反射高速電子回折法、走査トンネル顕微鏡、X線光電子分光法を用いて、原子レベルで評価した。窒化表面の原子配列は窒素吸着量、基板温度だけでなくAs4分子線照射の有無によって影響を受け、As4分子線照射下で窒化した場合には、窒素原子は初期(2x4)表面の第三層目のAsサイトに優先的に取り込まれ、As4分子線を照射しない場合には(3x3)構造が形成されやすいことが明らかとなった。

研究成果

• [雑誌論文] Atomic-scale characterization of the N incorporation on GaAs(001) (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Ohtake
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Atomic scale characterization of the N incorporation in GaAs (001) (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Ohtake
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 110 号: 3
  • DOI: 10.1063/1.3609066
  • 査読あり
• [学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Ohtake
  • 学会等名: 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara, Japan
  • 年月日: 2012-09-24
• [学会発表] Initial nitridation processes of GaAs(001) (2012)
  • 著者名/発表者名: A. Ohtake
  • 学会等名: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Zurich, Switzerland
  • 年月日: 2012-07-31
• [学会発表] Initial stage of heteroepitaxy on GaAs(001): adsorbate-induced surface reconstructions (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiro Ohtake
  • 学会等名: 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 2012
  • 発表場所: Nara, Japan
  • 招待講演
• [学会発表] Initial nitridation processes of GaAs(001) (2012)
  • 著者名/発表者名: Akihiro Ohtake
  • 学会等名: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors, July 2012
  • 発表場所: Zürich, Switzerland
• [学会発表] 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大竹晃浩
  • 学会等名: 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-09-02
• [学会発表] 活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大竹晃浩
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県山形市)
  • 年月日: 2011-09-02