研究課題
基盤研究(C)
III-V族化合物半導体GaAs(001)表面に活性窒素種を照射し、その吸着過程および構造を反射高速電子回折法、走査トンネル顕微鏡、X線光電子分光法を用いて、原子レベルで評価した。窒化表面の原子配列は窒素吸着量、基板温度だけでなくAs4分子線照射の有無によって影響を受け、As4分子線照射下で窒化した場合には、窒素原子は初期(2x4)表面の第三層目のAsサイトに優先的に取り込まれ、As4分子線を照射しない場合には(3x3)構造が形成されやすいことが明らかとなった。
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すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (6件) (うち招待講演 1件)
Journal of Applied Physics
巻: 110
巻: 110 号: 3
10.1063/1.3609066