| 研究課題/領域番号 |
22540330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 広島工業大学 (2012)
奈良先端科学技術大学院大学 (2010-2011) |
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研究代表者 |
山本 愛士 広島工業大学, 工学部, 教授 (10261546)
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| 連携研究者 |
冨田 知志 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (90360594)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 半導体ナノ粒子 / 金属ナノ薄膜 / 局在型表面プラズモン / 発光 / ラマン散乱 |
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| 研究概要 |
半導体ナノ粒子の発光強度が金属を近づけることによって受ける影響について研究した。金属と半導体ナノ粒子の距離を近づけていくと、発光強度は増大した後、激減した。これは、金属中の自由電子には光の強度を増大させる効果と半導体からの発光エネルギーを取り込んでしまう効果の両方があり、その競合が起きているためであることが分かった。本研究により、発光を最も効率よく取り出せる最適な距離があることを示した。
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