研究課題/領域番号 |
22540381
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅱ
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研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
研究代表者 |
柳澤 孝 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 上級主任研究員 (90344217)
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研究分担者 |
長谷 泉 産業技術合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00357774)
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研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 強相関電子系 / 計算物理 |
研究概要 |
高温超伝導機構の解明を目的として、強相関電子系の電子状態を明らかにするために、モンテカルルロ法によるシミュレーションを行った。フェルミ粒子系に対する量子モンテカルロ法においては、フェルミ粒子の交換にともなって現れる負符号問題とよばれる問題があり、量子シミュレーションにおいては大きな障害であった。我々は、その困難を克服するために、量子シミュレーションに対角化の手法を用いて、負符号問題が現われない「対角化量子モンテカルロ法」(または、量子モンテカルロ対角化法)を開発した。この方法により、二次元モデルにおける超伝導相関関数を計算し、d 波の超伝導相関はキャリアーをドープすることにより実際に増大することを示した。また、キャリアーがドープされていない系では、超伝導相関関数は増大しないことも明らかになった。キャリアーがなければ超伝導転移が起こりにくいことを示した。
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