| 研究課題/領域番号 |
22550188
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 株式会社豊田中央研究所 |
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研究代表者 |
森川 健志 株式会社豊田中央研究所, 先端研究センター 光エネルギー貯蔵プログラム, 主席研究員 (70394666)
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| 連携研究者 |
荒井 健男 株式会社豊田中央研究所, 光エネルギー貯蔵プログラム, 研究員 (70375145)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | p 型半導体 / スパッタリング / 光触媒 / 酸化鉄 / 酸化銅 / 光電流 / 半導体 / 可視光 / エネルギー変換 / 窒素ドープ / 酸化タンタル / 触媒・化学プロセス / 無機工業化学 / p型半導体 |
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| 研究概要 |
スパッタリングとポストアニールを駆使し、安価な材料hematite(α-Fe_2O_3)をN ドープによってp 型半導体とすることに成功した。N はFe_2O￥3 結晶中のO サイトを置換しアクセプターとして機能していることが強く示唆された。またアニオンN とともにカチオンZn をドープすることにより、N- Fe_2O_3 やZn- Fe_2O_3 よりも高い水溶液中光電流値を示すp 型半導体N,Zn- Fe2O3 の合成にも成功した。
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