| 研究課題/領域番号 |
22560001
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
松田 健一 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 助教 (80360931)
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| 研究分担者 |
山本 眞史 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (10322835)
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| 連携研究者 |
植村 哲也 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 准教授 (21360140)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | スピントロニクス / エピタキシャル成長 / 新機能材料 / 電子デバイス / 超伝導近接効果 / ハーフメタル強磁性体 / スピン注入素子 / 奇周波超伝導 |
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| 研究概要 |
本研究では、Co 基ホイスラー合金ハーフメタル強磁性体と超伝導体からなるエピタキシャルへテロ構造の作製に成功した。また、このヘテロ構造についてその電気伝導特性測定から、スピン偏極超伝導成分の存在を示唆する結果を得た。
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