| 研究課題/領域番号 |
22560005
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
内富 直隆 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (20313562)
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| 連携研究者 |
石橋 隆幸 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (20272635)
豊田 英之 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (90467085)
神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (10134975)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2012年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | スピントロ二クス / 半導体スピントロニクス / 結晶工学 / 結晶成長 / 界面・界面物性 / 半導体 |
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| 研究概要 |
次世代デバイス技術として期待される半導体スピントロ二クスでは、従来の半導体技術と整合性があり室温で強磁性を示す半導体材料の探査が必要である。本研究では、II-IV-V族多元化合物半導体であるZnSnAs2に磁性原子Mnを添加した磁性薄膜のエピタキシャル成長、その磁気特性について調べ、ハイブリッド磁気抵抗素子への応用を試みた。Mn添加ZnSnAs2薄膜は分子線エピタキシーによりInP基板上にエピタキシャル成長させることができ334Kの室温強磁性を示す。この磁性半導体とInP基板と格子整合するInGaAsやInAlAsとのヘテロエピタキシーにより磁性量子ナノ構造の可能性を示した。さらに、MnAsを含むハイブリッド磁気抵抗素子を作製し、II-IV-V族磁性半導体の応用について検討した。
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