| 研究課題/領域番号 |
22560007
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
中川 清和 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
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| 研究分担者 |
山中 淳二 山梨大学, 学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
佐藤 哲也 山梨大学, 学工学総合研究部, 准教授 (60252011)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2012年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 半導体 / 固相成長 / プラズマ加熱 / 選択加熱 / 薄膜トランジスタ / 結晶成長 / 電子材料 / 電子デバイス / シリコン多結晶 / プラズマ |
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| 研究概要 |
マイクロ波励起水素プラズマ中の水素原子を用いてGeや遷移金属の選択急速加熱を可能とする技術開発を行った。 ガラス基板上に堆積した非晶質Geを60秒程度の水素原子照射で結晶化が確認できた。 また、 水素原子による直接加熱が不可能なSiの場合は非晶質Siの一部にタングステンを堆積し、熱源として面内横方向の固相成長により多結晶膜を形成し、電界効果トランジスタを作製して実効移動度40 cm2/Vsを実現した。
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