| 研究課題/領域番号 |
22560009
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 静岡大学 |
|---|
研究代表者 |
喜多 隆介 静岡大学, 創造科学技術大学院, 教授 (90303528)
|
|---|
| 連携研究者 |
三浦 大介 首都大学東京, 都市教養学部, 准教授 (50281241)
山田 和宏 九州大学, 工学研究院, 技術職員 (90380609)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
|
|---|
| キーワード | 応用物性 / 結晶工学 / 高温超伝導体 / 薄膜 / 酸化物 / 有機金属塗布法 / 結晶成長 / 人工ピニングセンタ / ナノ構造 / 酸化物高温超伝導体 |
|---|
| 研究概要 |
Zr をケミカルドーピングした有機金属原料溶液を用いた有機金属塗布法(MOD 法)により数 nmサイズの絶縁性ナノ粒子を含む Gd 系超伝導薄膜の形成に成功した。このナノ粒子ドープ超伝導薄膜は磁場中で高い臨界電流密度特性を示した。また、MOD 法により約 3nm の絶縁性ナノアイランドを形成した表面装飾基板上に、MOD 法により形成した超伝導薄膜は、臨界電流密度 100万 A/cm~2以上を示し、印加磁場 1T 以上で臨界電流密度が向上することを明らかにした。
|
