| 研究課題/領域番号 |
22560012
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
上田 修 金沢工業大学, 工学研究科, 教授 (50418076)
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| 研究分担者 |
山口 敦史 金沢工業大学, 工学部, 教授 (60449428)
佐久間 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, グループリーダー (60354346)
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| 連携研究者 |
五神 真 東京大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70161809)
吉本 昌広 京都工芸繊維大学, 工芸科学研究科, 教授 (20210776)
矢口 裕之 埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50239737)
池永 訓昭 金沢工業大学, ものづくり研究所, 講師 (30512371)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 発光デバイス / 量子ドット / 信頼性 / 劣化 / 結晶成長 / 格子欠陥 / 転位 / 電子顕微鏡 / 長寿命化 |
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| 研究概要 |
発光デバイスの究極の寿命を決定する遅い劣化のメカニズムを解明するために、次世代発光デバイス用の新材料および量子ドット構造に外部から光照射を行い、劣化の度合いを評価した。その結果、新材料のGaInNAsでは、顕著な劣化が見られたが、InGaN,AlInGaAsでは、殆ど劣化が見られなかった。また、InP/InAs量子ドット/InP構造では、比較的強い光励起下でも殆ど劣化は見られなかった。今後、実デバイスに近い構造でも評価する必要がある。
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