| 研究課題/領域番号 |
22560020
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
伊藤 治彦 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (70201928)
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| 連携研究者 |
斎藤 秀俊 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (80250984)
鈴木 常生 長岡技術科学大学, 工学部, 助教 (00313560)
神田 一浩 兵庫県立大学, 工学部, 教授 (20201452)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2012年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
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| キーワード | プラズマプロセス / アモルファス炭素系薄膜 / レーザー分光診断 / アモルファス窒化炭素 / 水素化アモルファス炭化ケイ素 / プラズマCVD / 発光スペクトル / アモルファス炭素 / アモルファス炭化ケイ素 / NEXAFS / レーザー分光 / 発光分光 / フリーラジカル |
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| 研究概要 |
本研究では以下の3点について成果を得た。
(1)アモルファス窒化炭素薄膜の窒素源の特定と高窒素含有薄膜の形成に成功した
(2)希ガスのECRプラズマおよびマイクロ波放電フローにおける原料分子の分解メカニズムを解明した
(3)基板への高周波バイアス印加に伴うアモルファス炭素系薄膜の硬質化メカニズムを解明した
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