| 研究課題/領域番号 |
22560023
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
須藤 孝一 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (90314426)
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| 研究分担者 |
内藤 宗幸 甲南大学, 理工学部, 准教授 (10397721)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 表面 / シリコン / 微細構造 / 表面拡散 / 高温アニール |
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| 研究概要 |
シリコン基板上に形成した高アスペクト比微細ホールパターンを非酸化雰囲気中で高温アニールすると自発的な形態変化が起こる。本研究では、この自発的形態変化を利用した３次元微細構造形成技術について研究した。様々な構造・寸法の微細ホールパターンについて形態変化過程を観察し、自発的形態変化を利用して形成することができる３次元構造を明らかにした。連続体モデルに基づいた高アスペクト比ホールの形態変化の数値シミュレーションを行い、シリコン基板上のホールパターンの形態変化が表面拡散によって引き起こされていることを明らかにした。
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