| 研究課題/領域番号 |
22560026
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
小寺 正敏 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40170279)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 電子顕微鏡 / 帯電電荷計測 / 静電気力顕微鏡法 / EBIC / フォギング電子 / 電子ビーム機器 / 試料帯電 / 電位分布 / 加速電圧依存性 / 電子散乱のシミュレーション / 走査電子顕微鏡 / 電子ビーム照射に伴う帯電 / 静電気力顕微鏡システム / 帯電電位測定 / プローブ顕微鏡法 |
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| 研究概要 |
電子ビーム照射による絶縁物表面の帯電電位の測定を行うことができる静電気力顕微鏡システムを完成した。高分子の絶縁体薄膜が導電基板上に形成されているフォトマスク試料に電子ビームを照射したときに得られる絶縁体薄膜表面の電位分布は加速電圧やビーム電流によって大きく変化することが示された。一方、試料内・外での電子散乱のシミュレーションを開発し試料表面の電位分布の実験結果を説明できる結果を得た。
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