| 研究課題/領域番号 |
22560030
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 防衛大学校 |
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研究代表者 |
西田 謙 防衛大学校, 電気情報学群, 准教授 (40299384)
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| 研究分担者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授 (90219080)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 薄膜 / in-situ モニタリング / ラマン分光法 / その場観察 / チタン酸鉛 / チタン酸ジルコン酸鉛 / 酸化物薄膜 / ドメイン制御 |
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| 研究概要 |
in-situ(その場観察)ラマン分光-有機金属気相成長複合装置を用いて強誘電体チタン酸鉛膜のドメイン構造生成メカニズムの解明とその構造制御を行った。ドメイン構造は、製膜直後の降温過程における応力緩和により形成されることが明らかになった。また、応力緩和過程を制御することによりドメイン配向度の制御に成功した。
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