| 研究課題/領域番号 |
22560110
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
稲垣 耕司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (50273579)
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| 連携研究者 |
森川 良忠 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80358184)
山内 和人 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10174575)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 超精密加工 / 触媒援用加工法 / ワイドバンドギャップ半導体 / SiC / GaN / エッチング / 第一原理計算 / 触媒援用加工 / 解離吸着 / 触媒 / 反応バリア / 触媒援用化学エッチング / CARE / Pt / HF / 第一原理分子動力学シミュレーション / 活性化エネルギー / NEB法 |
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| 研究概要 |
本研究では、高濃度 HF 水溶液中での SiC および純水中での GaN の触媒基準エッチング加工の第一原理シミュレーションを行い、それぞれについて、表面ステップ端への反応分子の解離吸着過程について解析し、エッチング初期過程を明らかにした。また解離吸着の活性化障壁が水分子クラスター中でのプロトンリレーを介した反応により低下することや、被エッチング原子の隣接原子を終端するプロセスが律速過程であることを明らかにした
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