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MEIS-TOF-ERDA を用いた次世代 MOS プロセス極浅接合評価技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 22560295
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関大阪大学

研究代表者

阿保 智  大阪大学, 極限量子科学研究センター, 助教 (60379310)

研究分担者 高井 幹夫  大阪大学, 極限量子科学研究センター, 教授 (90142306)
若家 冨士男  大阪大学, 極限量子科学研究センター, 准教授 (60240454)
研究期間 (年度) 2010 – 2012
研究課題ステータス 完了 (2012年度)
配分額 *注記
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
キーワード組成分析 / 飛行時間計測 / 弾性反跳粒子検出法 / Time-of-Flight (TOF) / Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA) / 中エネルギーイオンビーム / 軽元素分析 / イオンプローブ / ERDA(弾性反跳粒子計測法) / TOF(飛行時間計測) / 低エネルギーイオン注入 / トロイダル静電アナライザ / SSRM / TEA(トロイダル静電アナライザ) / SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡)
研究概要

国際半導体技術ロードマップで要求される極浅接合の評価のため、高エネルギー分解能のトロイダル静電アナライザ(TEA)と飛行時間計測(TOF)をエネルギー分解と質量分解に用いた弾性反跳粒子検出法(ERDA)の開発を行った。質量分解と高収量を両立した計測系の構築を行い、ボロン注入量の異なる 3 種類の標準試料の計測を行い結果の比較を行った。これらの結果より、ロードマップで要求される不純物深さ分解能を MEIS-TOF-ERDA 計測法により達成することを示した。

報告書

(4件)
  • 2012 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2011 実績報告書
  • 2010 実績報告書
  • 研究成果

    (19件)

すべて 2012 2011 2010

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (13件)

  • [雑誌論文] Active Dopant Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Naoya Ushigome, Hidenori Osae, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Fujio Wakaya, Mikio Takai
    • 雑誌名

      Proceedings of the 19th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2012) AIP Conference Proceedings

      巻: 1946 ページ: 164-166

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time of flight elastic recoil detection analysis with toroidal electrostatic analyzer for ultra shallow dopant profiling2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Hidemasa Horiuchi, Fujio Wakaya, Gabor Battistig, Tivadar Lohner, Mikio Takai
    • 雑誌名

      Surface and Interface Analysis

      巻: 44 ページ: 732-735

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Active Dopant Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo
    • 雑誌名

      AIP Conference Proceedings

      巻: 1496 ページ: 164-166

    • DOI

      10.1063/1.4766515

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time of flight elastic recoil detection analysis with toroidal electrostatic analyzer for ultra shallow dopant profiling2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Hidemasa Horiuchi, Fujio Wakaya, Gabor Battistig, Tivadar Lohnera, Mikio Takai
    • 雑誌名

      Surface and Interface Analysis

      巻: (On-line) 号: 6 ページ: 732-735

    • DOI

      10.1002/sia.4878

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local Resistance Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscope2010

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Kazuhisa Nishikawa, Naoya Ushigome, Fujio Wakaya, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai
    • 雑誌名

      Proceedings of 18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) AIP Conference Proceedings

      巻: 1321 ページ: 229-232

    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local Resistance Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscope2010

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Kazuhisa Nishikawa, Naoya Ushigome, Fujio Wakaya, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai
    • 雑誌名

      Proceedings of 18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2010)

      ページ: 229-232

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 静電型分析器を用いたTOF-ERDA による極浅原子分布分析技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      李沛, 堀内英完, 阿保智, 若家冨士男, 高井幹夫
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学・松山大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Active dopant profiling of ultra shallow junction annealed with combination of spike lamp and laser annealing processes using scanning spreading resistance microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Naoya Ushigome, Hidenori Osae, Fujio Wakaya, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai
    • 学会等名
      19th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      19th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Active dopant profiling of ultra shallow junction annealed with combination of spike lamp and laser annealing processes using scanning spreading resistance microscopy2012

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo
    • 学会等名
      19th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      Valladolid, Spain
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 静電型分析器を用いたTOF-ERDAによる極浅原子分布分析技術の開発2012

    • 著者名/発表者名
      李 沛
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛県松山市
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] SSRMを用いた極浅接合の活性化不純物の深さ分布評価2012

    • 著者名/発表者名
      押 秀徳
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛県松山市
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Time of flight elastic recoil detection analysis with toroidal electrostatic analyzer for ultra shallow dopant profiling2011

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Hidemasa Horiuchi, Fujio Wakaya, Gabor Battistig, Tivadar Lohner, Mikio Takai
    • 学会等名
      8th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices
    • 発表場所
      Seoul, Republic of Korea
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Time of flight elastic recoil detection analysis with toroidal electrostatic analyzer for ultra shallow dopant profiling2011

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Hidemasa Horiuchi, Fujio Wakaya, Gabor Battistig, Tivadar Lohnera, Mikio Takai
    • 学会等名
      8th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '11
    • 発表場所
      Seoul, Republic of Korea
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] SSRMを用いたスパイクアニールとレーザアニールの組み合わせによる不純物活性化の比較2010

    • 著者名/発表者名
      牛込直弥, 西川和久, 阿保智, 若家冨士勇, 岩松俊明, 尾田秀一, 高井幹夫
    • 学会等名
      第71回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] TEAを用いたTOF-ERDAによる極浅原子分析法の開発研究2010

    • 著者名/発表者名
      堀内英完, 阿保智, 若家冨士男, 高井幹夫
    • 学会等名
      第71回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Local Resistance Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscope2010

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Kazuhisa Nishikawa, Naoya Ushigome, Fujio Wakaya, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai
    • 学会等名
      18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2010)
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2010-06-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] TEA を用いた TOF-ERDA による極浅原子分析法の開発研究2010

    • 著者名/発表者名
      堀内英完, 阿保智, 若家冨士男, 高井幹夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] SSRM を用いたスパイクアニールとレーザアニールの組み合わせによる不純物活性化の比較2010

    • 著者名/発表者名
      牛込直弥, 西川和久, 阿保智, 若家冨士男 , 岩松俊明 , 尾田秀一 , 高井幹夫
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書
  • [学会発表] Local Resistance Profiling of Ultra Shallow Junction Annealed with Combination of Spike Lamp and Laser Annealing Processes using Scanning Spreading Resistance Microscope2010

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Abo, Kazuhisa Nishikawa, Naoya Ushigome, Fujio Wakaya, Toshiaki Iwamatsu, Hidekazu Oda, Mikio Takai
    • 学会等名
      18th International Conference on Ion Implantation Technology
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2012 研究成果報告書

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公開日: 2010-08-23   更新日: 2019-07-29  

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