| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| 研究概要 |
ポーラス シリコンダイオードにおける高エネルギー弾道電子放出の物理的機構を理解するためのモデルを提案した.モデルは,原子論的強結合近似法と半古典的モンテ・カルロ法を結合にして構築した,弾道電子放出に関する測定結果の本質的な部分をよく再現した.モデルを拡張し,ナノ結晶シリコンを活性層に持つ金属半導体ダイオードで観測された,非常に大きな光導電利得の物理的機構の解明を行った.一様なナノ結晶シリコンでは,圧縮歪みにより光導電利得が増加することを,また,原子配置乱れがある場合,バンド端付近の準位の縮退が解けることにより,光導電利得が増加することを見いだした.
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