| 研究課題/領域番号 |
22560297
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
原田 直幸 山口大学, 大学院・理工学研究科, 准教授 (00222232)
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| 連携研究者 |
石橋 隆幸 長岡技術科学大学, 工学部, 准教授 (20272635)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 超伝導 / 臨界電流 / 磁束ピンニング / 人工ピン / 非対称 / 微細加工 / Nb 膜 / Nb膜 / 超伝導材料 / ピンニング / 量子化磁束 / Nb / 整流素子 |
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| 研究概要 |
超伝導体に電流を流すと、超伝導体内部の磁束線にローレンツ力が働き、ミクロな不均質部分との相互作用により、量子化磁束がピン止めされ、臨界電流(無損失で流すことができる電流)密度が決まる。塑性加工により線材に導入する人工ピンの考えを発展させ、微細加工技術を用いて非対称人工ピンを導入し、通電方向によって臨界電流密度が異なる超伝導素子の製作を目標として、厚さ 0.5μm の Nb 膜に非対称人工ピンの導入を行った。
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