| 研究課題/領域番号 |
22560301
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
野村 一郎 上智大学, 理工学部, 准教授 (00266074)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 電気 / 電子材料 / 半導体レーザ / クラッド層 / 酸化インジウムスズ / 透明導電膜 / コンタクト層 / ZnTe / ZnSeTe / 超格子 / レーザ / スパッタ法 / 導波路 / 光閉じ込め / II-VI族 / ドーピング / 二次イオン質量分析 / フォトルミネッセンス測定 / C-V測定 / 変調ドーピング / 均一ドーピング / BeZnTe / MgSe/BeZnTe超格子 |
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| 研究概要 |
高性能緑色半導体レーザのためのクラッド層材料の開拓を進めた。InP基板上のII-VI族化合物半導体や従来透明導電膜として使われている酸化インジウムスズ(ITO)について、クラッド層材料としての可能性を調べた。P側クラッド層にITOを用いたレーザ構造を提案し、理論解析により良好な光導波特性が得られことを示した。更に、ITOの成膜条件やITOとのコンタクト層材料について検討し、素子の高性能化に向けた条件を明らかにした。
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