| 研究課題/領域番号 |
22560303
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東海大学 |
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研究代表者 |
清田 英夫 東海大学, 産業工学部, 教授 (80269109)
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| 連携研究者 |
蒲生 美香 東洋大学, 理工学部, 教授 (00323270)
安藤 寿浩 独立行政法人物質材料研究機構, ナノ物資ラボ, グループリーダー (80343846)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2012年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 窒化カーボン / 液相合成 / 層間絶縁膜 / low-k / 大面積化 / 低誘電率材料 / 組成分析 / 低誘電率 |
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| 研究概要 |
アクリロニトリル(CH2CHCN)中でSi基板に直流電圧を印加して窒化カーボン(CNx)膜の液相合成を行った。合成装置や反応条件を改良することでCNx膜の低誘電率(low-k)化および大面積化を試み、CとNを主成分とするCNx膜を直径100 mmのSiウェハ全面に均一に堆積することに成功した。100 mmウェハ上にCNxを堆積するのに必要な電力は16 Wで、これは400 mm ウェハでは250 Wに相当し、気相合成等と比較して非常に低い消費電力で大面積基板上に成膜可能であることがわかった。さらに、バイアス電圧や膜厚を最適化することで、CNx膜の比誘電率kを2.4まで低減することができた。これらの結果から、液相合成したCNx膜がULSIに不可欠なlow-k層間絶縁材料として有望な物質であることが明らかになった。
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