| 研究課題/領域番号 |
22560309
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 中部大学 |
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研究代表者 |
中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所, 准教授 (60394722)
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| 連携研究者 |
色川 芳宏 物質・材料研究機構, 主任研究員 (90394832)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / 窒化物半導体 / 半導体物性 / 結晶工学 / 電子・電気材料 / AlGaN/GaNヘテロ構造 / 半導体欠陥準位 / 結晶成長 / スイッチング特性 / 欠陥準位 / 残留炭素 / MOCVD結晶成長 / フォトキャパシタンス / DLOS / 電流コラプス / イエローバンド / MOCVD |
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| 研究概要 |
AlGaN/GaNヘテロ構造のGaNバッファ層のMOCVD結晶成長温度が低い程(1120～1170℃)、炭素取り込み量が多くなり、伝導帯下2.07,2.80,3.23eVに欠陥準位が顕在化する傾向を示す。これらの欠陥準位はGa空孔,Ga空孔-炭素,炭素に帰属するものと思われる。また、2.80eVと3.23eVの欠陥準位は2次元電子ガスのキャリアトラップとして働くことがわかった。
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