研究概要 |
本報告は,SiO2のような非晶質基板上への薄膜単結晶形成方法の研究開発について述べたものである.提案手法は,酸化物結晶薄膜形成時における下地基板への依存性という課題を解決する方法の一つとして有効である.石英等の非晶質基板上に単結晶薄膜の材料を堆積した後,結晶化装置にセットし,熱処理の直前にArプラズマによりサンプルと種結晶片の表面をドライエッチングすることによってリフレッシュする.その直後,真空を破ることなくリフレッシュ面同士をコンタクトさせる.コンタクトさせた状態で適度な加圧と熱処理を施すことにより結晶化を促進し,所望の結晶薄膜を得るという画期的な方法である.
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