| 研究課題/領域番号 |
22560314
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 和歌山工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
山口 利幸 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 教授 (60191235)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 薄膜太陽電池 / 三元化合物 / カルコパイライト型 / 連続成膜法 |
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| 研究概要 |
次世代CIGS系薄膜太陽電池を作製するために、三元化合物からの連続成膜法を用いて作製条件を検討した。2段目のGa2Se3添加量を調整して、高いGa含有量を持つCIGS薄膜太陽電池を作製した結果、開放電圧Voc=550mV,短絡電流Isc=23.8mA/cm2,曲線因子FF=0.55,変換効率η=7.25%の成果が得られ、前回データを更新した。また、Na2SeやIn2S3を添加することで、開放電圧を改善できた。
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