| 研究課題/領域番号 |
22560315
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 公益財団法人名古屋産業科学研究所 (2012)
財団法人 名古屋産業科学研究所 (2010-2011) |
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研究代表者 |
綱島 滋 公益財団法人名古屋産業科学研究所, その他部局等, 研究員 (80023323)
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| 連携研究者 |
岩田 聡 名古屋大学, 大学院工学研究科, 教授 (60151742)
加藤 剛志 名古屋大学, 大学院工学研究科, 准教授 (50303665)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2011年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電気 / 電子材料 / メモリ / 磁性薄膜 / 磁気トンネル効果 / 磁気メモリ / 磁気ランダムアクセスメモリ / 磁気トンネル接合 / 熱アシスト磁化反転 / 希土類-遷移金属 / GdFeCo / TbFe |
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| 研究概要 |
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に書込む際に加熱アシストすることは,スピン注入(STT)磁化反転のための臨界電流を低減するために有効と考えられる.本研究では,GdFeCoメモリ層をもつ巨大磁気抵抗膜を用いてMRAM応用のための熱アシストSTT磁化反転を試みた.さらに垂直磁化を有しキュリー温度の低いTbFeメモリ層をもつ磁気トンネル接合についても熱アシストSTT磁化反転を試みた.その結果,熱アシストがSTT磁化反転のための書込み電流を低減するのに有効であることが分かった.
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