| 研究課題/領域番号 |
22560323
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
森 雅之 富山大学, 大学院・理工学研究部, 准教授 (90303213)
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| 連携研究者 |
前澤 宏一 富山大学, 大学院・理工学研究部, 教授 (90301217)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2012年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2011年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2010年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | InSb / 表面再構成制御成長法 / ALD / quasi-pseudomorphic QW-MOSFETs / ヘテロエピタキシー / MOSFET / Al2O3 / SOI / ヘテロエピタキシャル / Al_2O_3 / ヘテロエピタキシャル成長 / MOSダイオード / FET / Si(111)基板 |
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| 研究概要 |
超高速・超低消費電力デバイスへの応用が期待されているInSbを用いたFETを実現するため、Si基板上に非常に薄いInSbを表面再構成制御成長法を用いて成長し、その上にAl2O3絶縁膜を10～30nm堆積された、新しい擬似整合量子井戸型の電界効果トランジスタを作製し、評価した。その結果、InSb層の膜厚が15nm、ゲート長5μm、ゲート幅40μmのデバイスにおいて、相互コンダクタンスが63mS/mmという比較的良好な特性が得られた。
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